DMN2600UFB-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能满足紧凑空间要求，又能提供稳定可靠开关性能的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍DMN2600UFB-7，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和微小的封装，正在重新定义高效率电源管理和信号切换的边界。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或物联网传感器模块中，每一毫瓦的功耗都至关重要，每一立方毫米的空间都弥足珍贵。DMN2600UFB-7正是为此而生。它采用先进的3-X1DFN1006超紧凑封装，面积几乎可以忽略不计，却能稳健地处理高达25V的电压和1.3A的连续电流。其低至350毫欧的导通电阻（在4.5V Vgs下），意味着在开关过程中产生的热量和能量损耗被降至极低，直接转化为更长的电池续航时间和更凉爽的系统运行温度。无论是用于负载开关、DC-DC转换器中的同步整流，还是电机驱动中的PWM控制，它都能以极高的效率默默工作，成为您产品中那个最可靠却最不引人注目的“能量守门员”。

选择DMN2600UFB-7，不仅仅是选择了一颗元器件，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它极低的栅极电荷（仅0.85nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，让您的系统响应更加敏捷，特别适合高频开关应用。宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质，从消费电子到工业控制，都能游刃有余。当您需要稳定、高效的供应链支持时，遍布全球的DIODES芯片代理网络将为您提供从样品到批量生产的无缝服务。让这颗集高性能、小尺寸与高可靠性于一身的MOSFET，成为您下一个爆款产品中不可或缺的核心动力，助力您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得先机。

• 型号:DMN2600UFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.85 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:70.13 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:540mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
• DMN2600UFB-7的官网价格：1:$0.32000|3000:$0.06744，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。