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DMN3032LFDBWQ-7供应商
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DMN3032LFDBWQ-7
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:U-DFN2020-6（SWP）B 型
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 6UDFN
- （专注销售DIODES电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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DMN3032LFDBWQ-7参数详情：
- 型号:DMN3032LFDBWQ-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-DFN2020-6（SWP）B 型
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 6UDFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 5.8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500pF @ 15V
- 功率 - 最大值:820mW
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
- 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）B 型
- DMN3032LFDBWQ-7的官网价格：3000:$0.28710，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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