DMN30H4D1S-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为高电压、小空间下的开关性能而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMN30H4D1S-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为打破传统限制、释放设计潜能而生。它不仅仅是一个元件，更是您实现高效、可靠、紧凑型设计的强大引擎。

想象一下，在那些对空间和效率都极为苛刻的应用中，比如智能手机的快速充电模块、LED驱动电源、或是便携式设备的高压DC-DC转换器，DMN30H4D1S-7能够大显身手。其高达300V的漏源电压和430mA的连续漏极电流，确保了在高压环境下稳定可靠的开关能力。而仅4.8nC的低栅极电荷和174pF的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接转化为更低的系统发热和更高的整体效率。这一切，都被精妙地封装在微小的SOT-23封装内，让您的PCB布局前所未有的灵活，轻松应对日益小型化的产品趋势。

选择DMN30H4D1S-7，就是选择了一份从容与信心。它卓越的电气性能，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出更快的响应、更长的续航、更小的体积。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了产品无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能稳定运行。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES中国代理合作，您不仅能获得这颗性能出众的芯片，更能享受到稳定的供货保障、专业的技术支持和本地化的快捷服务，让您的产品从研发到量产全程无忧。立即采用DMN30H4D1S-7，为您的下一个创新项目注入强劲动力，开启高效节能的新篇章。

• 型号:DMN30H4D1S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 430MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):430mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:174 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN30H4D1S-7的官网价格：3000:$0.09973，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。