DMN4030LK3Q-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个能显著提升效率、降低温升并简化设计的核心元件，将如何重塑您的产品竞争力。这正是DMN4030LK3Q-13带来的变革性价值。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正成为工程师应对严苛应用挑战的可靠选择。

无论是汽车电子中需要承受剧烈温度变化的DC-DC转换器，还是工业设备里要求长时间稳定运行的马达驱动，甚至是消费类电子产品中空间紧凑的负载开关，DMN4030LK3Q-13都能游刃有余。它40V的漏源电压和9.4A的连续漏极电流，为中等功率应用提供了充裕的余量。而其低至30毫欧的导通电阻（在12A，10V条件下），直接意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，这让系统在高效运行的同时，散热设计得以简化，整体可靠性和寿命获得显著提升。面对复杂的汽车级应用，其符合AEC-Q101标准的身份，更是为您通往高端市场铺平了道路。

选择DMN4030LK3Q-13，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计思路。它极低的栅极电荷（仅12.9nC @ 10V）和输入电容，确保了快速的开关速度，进一步降低了开关损耗，这对于高频开关电源提升效率至关重要。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）赋予了它无与伦比的环境适应性。当您需要稳定可靠的供应链和专业技术支持时，联系专业的DIODES代理商将是确保项目顺利推进的明智之举。从提升能效到增强可靠性，从简化设计到加速上市，这颗芯片的价值贯穿于产品生命周期的每一个环节，是您打造下一代高性能、高可靠性电子设备的基石。

• 型号:DMN4030LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:604 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN4030LK3Q-13的官网价格：2500:$0.40317，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。