DMN60H3D5SK3-13

当您的电源设计需要在紧凑空间内实现高效能量转换时，是否曾为寻找一款兼具高耐压与出色热性能的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案DMN60H3D5SK3-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其600V的漏源电压和2.8A的连续漏极电流，为您的高压开关应用提供了坚实的性能基石。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品能效、缩小体积、增强可靠性的关键引擎。

想象一下，在您的AC-DC电源适配器、LED照明驱动或家用电器辅助电源中，这颗芯片如何大显身手。其3.5欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的系统即使在长时间满载运行时也能保持冷静高效。TO-252（D-Pak）的表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其高达41W的功率耗散能力（Tc条件下）和-55°C至150°C的宽广工作温度范围，更能轻松应对各种严苛环境，确保从工业控制到消费电子的多样场景下稳定运行。

选择DMN60H3D5SK3-13，就是选择了一份从容与自信。它极低的栅极电荷（仅12.6nC @ 10V）和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的开关电源设计能够轻松迈向更高频率，从而使用更小的磁性元件，进一步优化整体方案的成本与尺寸。这颗有源状态的芯片，代表了Diodes在功率半导体领域的深厚积累，其稳定的性能和一致的品质，是您产品长期可靠性的有力保障。若您正在寻找可靠的原厂正品与技术支持，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供从选型到量产的全方位服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:DMN60H3D5SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:354 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN60H3D5SK3-13的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。