DMN6140LQ-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和空间占用而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMN6140LQ-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能重新定义了小尺寸功率开关的可能性。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品竞争力、实现高效稳定运行的秘密武器。

想象一下，在紧凑的便携式设备、高效的DC-DC转换器或是精密的负载开关电路中，DMN6140LQ-7能够大显身手。其高达60V的漏源电压和1.6A的连续漏极电流，为您的设计提供了坚实的电压与电流余量，确保在各种工况下的可靠性与耐用性。更令人惊喜的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的140毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体效率，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

选择DMN6140LQ-7，就是选择了一份安心与高效。它采用标准的SOT-23封装，在节省宝贵PCB空间的同时，简化了生产贴装流程。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够从容应对严苛的环境挑战。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，它都能完美融入，成为电路中那个默默奉献却至关重要的高效“开关”。我们专业的DIODES代理团队，随时准备为您提供从选型到量产的全方位技术支持，确保这颗高性能芯片的价值在您的产品中得到最大程度的释放。

• 型号:DMN6140LQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 1.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN6140LQ-7的官网价格：1:$0.54000|3000:$0.11894，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。