DMN61D8LVT-13

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界，您是否正在为寻找一款既能承载60V高压，又能在微小封装内实现高效双通道控制的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的DMN61D8LVT-13，正是为破解这一难题而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、优化空间布局的得力助手，让高效与可靠触手可及。

想象一下，在您的便携式设备、智能传感器模块或精密的电源管理单元中，空间何其珍贵。这款来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET，以其TSOT-26的超薄封装，轻松融入最紧凑的电路板布局，为您节省每一毫米的宝贵空间。其逻辑电平门控特性，意味着它能与当今主流的低压微处理器和数字信号处理器无缝对话，让您的系统设计更加简洁，响应更加迅速。无论是需要快速切换的负载开关，还是精密的信号路径选择，它都能以极低的导通电阻和栅极电荷，确保能量损耗最小化，让设备的续航与效能同步飞跃。

它的舞台遍布现代电子应用的各个角落。在物联网节点的电源管理电路中，它能高效地控制不同模块的供电，延长电池寿命；在便携式医疗设备的信号调理部分，其稳定的性能保障了测量的准确性；在工业自动化的小型化控制板上，它可靠地执行着开关指令，耐受-55°C至150°C的严苛环境温度。选择DMN61D8LVT-13，就是选择了一种经过验证的可靠性。其630mA的连续漏极电流和820mW的最大功率处理能力，为您的设计提供了充裕的安全余量。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES一级代理合作，您不仅能获得正品保障和稳定的供货，还能得到专业的技术支持，确保这颗芯片的价值在您的产品中得到完美释放。它不仅仅是一个参数表上的选项，更是您实现产品差异化、赢得市场先机的关键拼图。

• 型号:DMN61D8LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12.9pF @ 12V
• 功率 - 最大值:820mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMN61D8LVT-13的官网价格：1:$0.83000|10000:$0.16847，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。