DMN62D0UWQ-13

在追求极致能效与可靠性的设计竞赛中，您是否正在寻找一颗能在严苛环境下稳定工作，同时又能简化电路、节省空间的开关解决方案？答案或许就藏在DMN62D0UWQ-13这颗小巧而强大的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、确保长期稳定性的得力助手。

想象一下，在汽车电子系统中，从LED照明驱动到传感器信号切换，每一个环节都要求绝对的可靠与高效。DMN62D0UWQ-13正是为此而生。它拥有高达60V的漏源电压和340mA的连续漏极电流，足以应对车内复杂的电压波动和负载需求。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，意味着它经过了最严格的可靠性测试，能够在-55°C到150°C的极端温度范围内稳定运行，为您的车载应用提供从引擎舱到驾驶舱的全方位守护。无论是需要快速响应的电源管理模块，还是对空间极其敏感的便携式设备内部，其SOT-323的超紧凑封装都能轻松融入，让您的设计更加游刃有余。

选择DMN62D0UWQ-13，就是选择了一份安心与高效。它极低的导通电阻（最大仅2欧姆@4.5V驱动）意味着更少的能量损耗在发热上，直接提升了系统的整体能效，让电池续航更持久，设备运行更凉爽。同时，其低至1.8V的驱动电压门槛，使其能够轻松兼容现代低功耗微控制器（MCU）的GPIO口，无需额外的电平转换电路，大大简化了设计复杂度，加速了您的产品上市时间。当您需要可靠、高性能的半导体解决方案时，通过专业的DIODES代理获取这颗芯片，不仅能确保原装正品和稳定的供货，还能获得及时的技术支持，让您的创新之路畅通无阻。

• 型号:DMN62D0UWQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):340mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN62D0UWQ-13的官网价格：1:$0.38000|10000:$0.06706，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。