




DMP2070UCB6-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:U-WLB1510-6
- 技术参数:MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMP2070UCB6-7参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的今天,您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而烦恼?想象一下,一颗芯片,既能提供稳定可靠的功率开关,又能将宝贵的PCB空间节省到极致,这正是DMP2070UCB6-7为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的P沟道MOSFET,它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。
这颗芯片的卓越之处,首先体现在其精妙的性能平衡上。高达20V的漏源电压和2.5A的连续漏极电流,赋予了它处理中小功率任务的强大能力,无论是便携设备的负载开关,还是电池管理中的保护电路,它都能游刃有余。更令人心动的是其极低的导通电阻在4.5V驱动下仅70毫欧,这意味着更少的能量以热量的形式被浪费,直接转化为更长的电池续航和更低的系统温升,让您的产品在能效比拼中脱颖而出。其超低的栅极电荷和输入电容,确保了快速的开关响应,显著提升了系统的动态性能与效率。
当我们将目光投向实际应用,DMP2070UCB6-7的身影几乎无处不在。在您手中的智能手机或平板电脑里,它可能正默默负责着不同电源域的智能切换;在火爆的TWS蓝牙耳机中,它高效管理着充电与放电回路;在各类IoT传感器和可穿戴设备紧凑的内部,它更是节省空间、提升可靠性的不二之选。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围,让它无惧严苛环境挑战,从消费电子到工业控制,都能稳定服役。选择它,就是为您的产品注入了高可靠性与高适应性的基因。
那么,在纷繁的元器件市场中,为何最终锁定DMP2070UCB6-7?答案清晰而有力。U-WLB1510-6超小型封装是决胜未来的关键,它极大地释放了PCB板面空间,让您的设计可以更轻薄、更紧凑,或集成更多功能。卓越的电气参数与封装技术的结合,实现了性能与尺寸的黄金比例。此外,其有源的产品状态和来自Diodes的稳定供应链,保障了项目从研发到量产的顺畅无虞。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴,专业的DIODES芯片代理将为您提供从技术选型到供应保障的全方位支持。立即采用DMP2070UCB6-7,它不仅是电路中的一个开关,更是您开启高效、紧凑、可靠产品新篇章的智能钥匙。
- 型号:DMP2070UCB6-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-WLB1510-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):70 毫欧 @ 1A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2.9 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):210 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):920mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:U-WLB1510-6
- 封装/外壳:6-UFBGA,WLBGA
- DMP2070UCB6-7的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















