




DMP210DUFB4-7B
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:X2-DFN1006-3
- 技术参数:MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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DMP210DUFB4-7B参数详情:
在追求极致小型化的今天,您的便携式设备是否还在为空间和功耗的平衡而烦恼?想象一下,一颗比米粒还小的芯片,却能以极低的导通电阻和出色的能效,为您的电路提供稳定可靠的电源开关控制,这正是DMP210DUFB4-7B带来的核心价值。它不仅仅是一个P沟道MOSFET,更是工程师在紧凑空间内实现高效电源管理的得力助手。
这颗芯片的魅力在于其卓越的性能参数与精巧的封装设计。它拥有20V的漏源电压和200mA的连续漏极电流,足以轻松应对各类低压便携设备的负载需求。更令人印象深刻的是,在4.5V的驱动电压下,其导通电阻低至5欧姆,这意味着更低的导通损耗和更高的系统效率,直接转化为更长的电池续航时间。其宽广的工作温度范围从-55°C到150°C,确保了设备在严苛环境下的稳定运行,无论是炎炎夏日还是寒冷冬季,都能可靠工作。
当我们将目光投向实际应用,DMP210DUFB4-7B的身影无处不在。它非常适合集成到TWS蓝牙耳机、智能手表、健康监测手环等可穿戴设备中,用于精准的电池电量管理、负载开关和电源路径选择。在物联网传感器节点中,它能高效地控制外围模块的供电,最大限度地降低系统待机功耗。此外,在手机、平板电脑的辅助电路,以及各种USB供电的小型外设中,它都是实现高效、紧凑电源切换方案的理想选择。选择它,就是为您的产品注入了高效与可靠的基因。
那么,在众多同类产品中,为何独独青睐这颗芯片?答案在于它实现了性能、尺寸与可靠性的完美统一。其超小的X2-DFN1006-3封装,为PCB布局节省了宝贵的空间,让您的设计更加灵活自由。低至1.2V的驱动电压门槛,使其能与现代低功耗微处理器无缝协作,简化了驱动电路设计。更重要的是,它来自业界知名的Diodes Incorporated,其品质与一致性拥有坚实保障。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴,我们作为专业的DIODES授权代理,不仅能提供正品货源,更能为您提供专业的技术选型支持,确保这颗小巧而强大的芯片能在您的设计中发挥最大价值,助您的产品在市场竞争中脱颖而出。
- 型号:DMP210DUFB4-7B
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:X2-DFN1006-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5 欧姆 @ 100mA,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):175 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):350mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
- 封装/外壳:3-XFDFN
- DMP210DUFB4-7B的官网价格:10000:$0.03519,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















