




DMP2160UW-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:SOT-323
- 技术参数:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMP2160UW-7参数详情:
在追求极致能效的电子设计领域,您是否还在为如何在小巧空间内实现可靠、高效的功率控制而烦恼?现在,答案已经揭晓。我们隆重推出DMP2160UW-7,这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET,正是为满足现代紧凑型设备对高性能开关的严苛要求而生。它不仅仅是一个元件,更是您产品实现卓越性能、延长续航与提升可靠性的关键引擎。
想象一下,在您的手持设备、便携式音频播放器或智能穿戴产品中,需要一颗能够在极低电压下高效运作的开关。DMP2160UW-7凭借其仅需1.8V的低驱动电压即可开启,在4.5V时导通电阻低至100毫欧的卓越表现,能显著降低导通损耗,将更多电能转化为有效功,而非无谓的热量。这意味着您的设备运行更凉爽,电池续航更持久,用户体验直接升级。其20V的漏源电压和1.5A的连续漏极电流能力,为各种低压电路提供了坚实而灵活的开关解决方案,无论是电源路径管理、负载开关还是信号切换,它都能游刃有余。
从消费电子到工业模块,从物联网节点到汽车辅助系统,DMP2160UW-7的应用场景无处不在。当您的设计面临PCB空间极度紧张时,其超小的SOT-323封装将成为您的制胜法宝,让您在方寸之间布局精妙电路。宽广的-55°C至150°C工作结温范围,确保了它在各种恶劣环境下依然稳定如一,为产品的全天候可靠运行保驾护航。选择它,就是为您的项目选择了一份经过市场验证的稳定与高效。
为何众多领先企业将DMP2160UW-7作为首选?因为它精准地击中了工程师的核心诉求:在有限的成本和空间内,获取最大的性能价值。低至900mV的阈值电压让它在电池供电设备中表现尤为出色,而仅350mW的功耗则体现了其卓越的能效比。这不仅仅是参数的堆砌,更是Diodes Incorporated深厚技术底蕴的体现。为确保您能获得稳定、正品的货源与专业的技术支持,我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购。立即采用DMP2160UW-7,让它成为您下一个爆款产品中那颗不可或缺的“智慧心脏”,驱动创新,赢得市场。
- 型号:DMP2160UW-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-323
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):627 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):350mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-323
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- DMP2160UW-7的官网价格:1:$0.45000|3000:$0.09682,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















