DMP26M7UFG-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当您需要一颗能在紧凑空间内稳定驱动大电流的P沟道MOSFET时，DMP26M7UFG-7的出现，正是为了终结这种两难选择。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的功率器件，以其卓越的性能参数重新定义了高效率的标准。高达18A（Ta）的连续漏极电流承载能力，配合低至6.7毫欧的导通电阻（在15A，4.5V条件下），意味着在相同的负载下，它能将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。极低的栅极电荷（Qg最大值156nC）和优化的开关特性，让系统能够在更高的频率下稳定运行，显著降低开关损耗，这对于提升整体能效和延长电池续航至关重要。其坚固的PowerDI3333-8封装不仅确保了出色的散热性能，更能适应高密度PCB布局的严苛要求，让您的设计在性能和空间上取得完美平衡。

想象一下，在您的手持设备、便携式音箱或无人机电池管理系统中，DMP26M7UFG-7正默默发挥着核心作用。它可能是负载开关中的关键一环，实现快速、干净的电源通断，保护后续电路；也可能是电机驱动电路中的核心开关，以高效的PWM控制驱动马达平稳运转；在DC-DC转换器的同步整流或高端开关应用中，它的低导通电阻特性直接转化为更低的压降和更高的转换效率。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，凡是需要高效、可靠控制20V以内电源路径的场景，都是它大展身手的舞台。

选择DMP26M7UFG-7，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与前瞻性的性能。Diodes Incorporated的品质背书，加上从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作。对于追求快速上市和供应链稳定的客户，选择与可靠的DIODES一级代理合作，不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到及时的技术支持和充足的库存供应，让您的项目全程无忧。这颗芯片的价值，不仅在于其本身的参数，更在于它为您产品带来的整体性能提升、可靠性增强和最终用户体验的优化。立即采用DMP26M7UFG-7，为您的下一个设计注入高效动力！

• 型号:DMP26M7UFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.7 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:156 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5940 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP26M7UFG-7的官网价格：1:$1.34000|2000:$0.36001，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。