




DMP3018SFVQ-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:PowerDI3333-8(UX 类)
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
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DMP3018SFVQ-13参数详情:
想象一下,在您最新的汽车电子或工业电源设计中,是否曾为寻找一颗能在严苛环境下稳定工作、同时兼顾高效率与紧凑尺寸的功率开关而烦恼?今天,这颗难题的答案已经揭晓DMP3018SFVQ-13,正是为满足您对可靠性与性能的双重极致追求而生。它不仅仅是一个P通道MOSFET,更是Diodes Incorporated凭借其深厚的汽车级半导体经验,为您精心打造的能源控制核心,旨在让您的系统运行如虎添翼,无惧任何挑战。
当我们将目光投向其广阔的应用舞台,这颗芯片的价值便熠熠生辉。在新能源汽车的电池管理系统(BMS)中,它凭借30V的漏源电压和高达35A(Tc)的连续漏极电流能力,成为负载开关和反向极性保护的理想卫士,确保能量流动安全且高效。在车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)的电源路径管理中,其低至12毫欧的导通电阻(RdsOn)意味着更少的能量以热量形式耗散,直接提升了系统的整体能效和续航表现。即便是空间极其受限的无人机电调、便携式医疗设备或是紧凑型工业PLC模块,其采用先进的PowerDI3333-8封装,在提供强大功率处理能力的同时,实现了极致的空间节省,让您的设计更加纤薄、灵活。
那么,在众多同类产品中,为何DMP3018SFVQ-13能脱颖而出,成为您的首选?答案在于它背后坚实的技术底蕴与品质承诺。作为符合AEC-Q101标准的汽车级产品,它经历了远超工业级标准的严苛测试,工作温度范围宽达-55°C至150°C,确保从冰天雪地到引擎舱高温都能稳定如一。其优化的栅极电荷(Qg仅51nC)和输入电容,使得开关速度更快,驱动更轻松,显著降低了开关损耗,提升了系统频率响应。这意味着您的设备不仅能更“冷静”地运行,还能获得更快的动态性能和更长的使用寿命。选择它,就是选择了一份经得起时间与环境考验的可靠性。如果您正在寻找可靠的技术伙伴与供应保障,专业的DIODES中国代理将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务,让创新之路畅通无阻。
总而言之,DMP3018SFVQ-13完美融合了高性能、高可靠性与高集成度。它不仅仅是一个组件,更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大引擎。无论是应对汽车电子日益增长的需求,还是攻克工业自动化中的功率密度难题,它都准备好了以卓越的表现,助力您的下一个设计迈向成功。现在,就让它成为您电路板上的明星,开启高效、可靠的能量控制新篇章。
- 型号:DMP3018SFVQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI3333-8(UX 类)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Ta),35A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):12 毫欧 @ 11.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):51 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2147 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerDI3333-8(UX 类)
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMP3018SFVQ-13的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















