DMP34M4SPS-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为高损耗和散热难题所困扰？想象一下，一颗能够承载135A大电流，同时导通电阻低至毫欧级别的P沟道MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能格局？答案就在DMP34M4SPS-13。这款来自Diodes Incorporated的功率器件，以其卓越的电气特性和坚固的可靠性，正成为工程师们应对严苛应用挑战的秘密武器。

它不仅仅是一个参数表上的明星，更是您产品中沉默的效能引擎。其3.8毫欧的超低导通电阻（@10V, 20A），意味着在相同电流下，它能将导通损耗降至极低，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是面对持续的高负载，还是频繁的开关动作，DMP34M4SPS-13都能游刃有余，确保能量传输路径畅通无阻。搭配其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，即使在极端环境下，它也能稳定输出，为您的设计提供坚实的保障。

这种强大的性能，让它在众多高要求场景中找到了用武之地。从数据中心服务器的高密度电源模块，到新能源车内的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器；从工业自动化设备中的电机驱动与负载开关，到高端消费电子产品的电池保护与电源路径管理，DMP34M4SPS-13都是实现高效、紧凑、可靠设计的核心之选。它的PowerDI5060-8封装专为优化散热和节省PCB空间而生，让您在提升功率密度的同时，无需为散热设计过度焦虑。

那么，在琳琅满目的功率器件中，为何最终选择DMP34M4SPS-13？因为它精准地平衡了性能、尺寸与成本。它提供的不仅是135A的电流能力和30V的耐压，更是一套经过优化的系统级解决方案较低的栅极电荷（127nC @10V）有助于简化驱动电路设计，减少开关损耗；而可靠的品质与供货稳定性，则来自于其强大的制造商背景。为确保您能获得正品保障与及时的技术支持，我们强烈推荐您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购。选择DMP34M4SPS-13，就是选择为您的下一个项目注入高效、可靠与创新的基因，让产品在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:DMP34M4SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):135A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:127 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3775 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMP34M4SPS-13的官网价格：1:$1.84000|2500:$0.50583，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。