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DMP4010SK3Q-13

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-252-3
  • 技术参数:MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

DMP4010SK3Q-13参数详情:

在追求极致能效的今天,您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰?想象一下,一颗能够同时兼顾高电流承载与低导通损耗的MOSFET,将如何彻底改变您的设计。现在,答案就在DMP4010SK3Q-13。这款来自Diodes Incorporated的P沟道功率MOSFET,以其40V的耐压和高达50A(Tc)的连续漏极电流能力,为您打开了高效电源转换的新大门。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键引擎。

无论是需要高效同步整流的DC-DC转换器,还是空间紧凑的负载开关应用,DMP4010SK3Q-13都能游刃有余。其卓越的9.9毫欧超低导通电阻(在10V Vgs条件下),意味着在相同的电流下,它能将更多的电能传递给负载,而非转化为令人头疼的热量。这直接转化为更长的电池续航、更小的散热器尺寸,以及更安静、更可靠的终端产品。从便携式设备、电动工具到工业自动化控制板,它的身影无处不在,默默地为每一次高效、稳定的能量切换保驾护航。

选择DMP4010SK3Q-13,就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。Diodes Incorporated成熟稳定的MOSFET技术,确保了器件在-55°C至150°C的严苛结温范围内都能稳定工作。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,让驱动电路设计更为轻松,有效降低了开关损耗,提升了整体系统频率和响应速度。当您需要可靠、高性能的P沟道解决方案时,它无疑是经过市场验证的明智之选。为了确保您能便捷地获得这款优质产品及其完善的技术支持,我们推荐您通过官方授权的DIODES中国代理进行采购,保障供应链的顺畅与正品品质。

归根结底,在激烈的市场竞争中,细节决定成败。一颗优秀的MOSFET,能够从能效、温升、体积和可靠性等多个维度,为您的产品注入强大优势。DMP4010SK3Q-13正是这样一颗能够化挑战为机遇的“核心动力”。它用实实在在的性能参数,为您提供了一条通往更高设计目标的清晰路径。别再让普通的功率器件限制您的想象力,立即采用DMP4010SK3Q-13,亲身体验高效、冷静、可靠的电源管理如何为您的项目带来颠覆性的改变。

  • 型号:DMP4010SK3Q-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-252-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.9 毫欧 @ 9.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):91 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4234 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.7W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252-3
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • DMP4010SK3Q-13的官网价格:1:$1.61000|2500:$0.43139,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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