




DMP4025SFGQ-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:POWERDI3333-8
- 技术参数:MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMP4025SFGQ-13参数详情:
在追求极致能效的电子设计领域,您是否还在为寻找一款能在严苛环境下稳定工作、同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案而烦恼?今天,我们为您带来的DMP4025SFGQ-13,正是这样一颗能够完美回应您挑战的明星芯片。它不仅仅是一个P沟道MOSFET,更是Diodes Incorporated凭借深厚技术底蕴,专为汽车级和工业级高要求应用打造的能量控制核心,旨在帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。
想象一下,在新能源汽车的电池管理系统(BMS)中,需要精准控制充放电回路;在工业自动化设备的电机驱动模块里,要求快速响应与低损耗切换;甚至在您手中的智能穿戴设备中,对空间和能效有着近乎苛刻的追求。DMP4025SFGQ-13凭借其40V的漏源电压和7.2A的连续漏极电流能力,轻松驾驭这些场景。其低至25毫欧的导通电阻(在10V Vgs, 3A条件下),意味着更低的导通损耗和更少的热量产生,直接提升了系统整体效率,让设备运行更凉爽、更持久。而高达150°C的结温工作范围,则赋予了它无与伦比的鲁棒性,无论是炎热的发动机舱还是寒冷的外部环境,都能稳定如一。
选择DMP4025SFGQ-13,就是选择了一份安心与高效。它通过了严苛的AEC-Q101汽车级认证,这不仅是质量的标签,更是可靠性的承诺,确保您的产品能够满足汽车行业对零缺陷和长寿命的终极要求。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,使得开关速度更快,驱动更轻松,有助于简化您的驱动电路设计,降低系统复杂度和成本。紧凑的PowerDI3333-8封装在节省宝贵PCB空间的同时,也提供了出色的散热性能。当您需要这样一颗高性能、高可靠的芯片时,我们的DIODES中国代理团队将为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务,确保您的创新想法能够快速、顺利地转化为成功的产品。
总而言之,DMP4025SFGQ-13是Diodes Incorporated献给工程师们的一份匠心之作。它将卓越的电气性能、坚固的可靠性以及便于使用的封装形式融为一体,是您在设计下一代电源管理、电机控制或负载开关应用时的理想选择。让它成为您产品中的“能量阀门”,为您开启高效、可靠、紧凑的电子设计新篇章。
- 型号:DMP4025SFGQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:POWERDI3333-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 40V 7.2A PWRDI3333-8
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 3A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):33.7 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1643 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):810mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:POWERDI3333-8
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMP4025SFGQ-13的官网价格:1:$1.24000|3000:$0.31112,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















