DMP610DL-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为如何平衡性能、尺寸与成本而苦恼？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案DMP610DL-13。这款来自Diodes Incorporated的先进MOSFET，以其41V至60V的宽泛BVDSS范围和紧凑的SOT23封装，正在重新定义小型化、高效率功率管理的可能性。它不仅仅是一个元器件，更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的关键引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或紧凑型工业控制器中，空间是何等宝贵。DMP610DL-13的SOT23封装让它几乎不占任何空间，却能为您的DC-DC转换器、负载开关或电机驱动电路提供坚实可靠的功率开关核心。无论是需要快速响应的电池保护电路，还是对效率有严苛要求的电源管理模块，它都能轻松胜任，确保能量以最高效的方式传递，显著延长终端设备的续航时间，并提升整体系统的稳定性与可靠性。

选择DMP610DL-13，就是选择了一份来自技术前沿的保障。Diodes Incorporated在半导体领域的深厚积淀，确保了这颗芯片从设计到生产的每一个环节都精益求精。其出色的导通电阻与栅极电荷特性，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更低的发热量和更高的系统效率。对于追求快速上市和稳定供应链的设计师而言，通过值得信赖的DIODES一级代理进行采购，不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能享受专业的技术支持和及时的供货服务，让您的创新之路畅通无阻。立即采用DMP610DL-13，为您的下一个明星产品注入强大而高效的“芯”动力！

• 型号:DMP610DL-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:24.6 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMP610DL-13的官网价格：1:$0.22000|10000:$0.03571，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。