




DMPH4013SK3-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-252(DPAK)
- 技术参数:MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T\\u0026R
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMPH4013SK3-13参数详情:
在追求极致效率的电力电子设计中,您是否曾为寻找一款能在严苛环境下稳定工作、同时兼顾高性能与高可靠性的P沟道MOSFET而烦恼?今天,我们为您带来一个颠覆性的解决方案DMPH4013SK3-13。这款来自Diodes Incorporated的汽车级功率器件,以其卓越的电气性能和坚固的物理特性,正重新定义40V应用场景的性能标杆。它不仅是一颗芯片,更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的强大引擎。
想象一下,在汽车引擎舱的高温环境中,或在工业设备持续大电流运行的挑战下,普通器件可能早已性能衰减或面临失效风险。而DMPH4013SK3-13却能在-55°C至175°C的结温范围内从容应对,其AEC-Q101认证的汽车级品质,意味着它经历了远超工业标准的严苛测试,从温度循环到机械冲击,都确保了无与伦比的长期可靠性。高达55A的连续漏极电流承载能力,配合低至15毫欧的导通电阻,意味着更低的导通损耗和更高的系统效率,电能得以更纯粹地转化为动力或信号,而非令人头疼的热量。这种高效能直接转化为您的终端产品更长的续航、更快的响应以及更低的运营成本。
它的应用舞台极为广阔。无论是新能源汽车的电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)中的负载开关,还是工业自动化设备里的电机驱动、电源转换模块,甚至是需要高效功率路径管理的通信基站设备,DMPH4013SK3-13都能扮演关键角色。其TO-252(D-Pak)封装兼顾了优异的散热性能和紧凑的占板面积,让设计师在有限的空间内也能实现强大的功率处理能力。选择它,就是为您的设计注入了一颗经久耐用的“心脏”。
那么,为何众多领先企业将DMPH4013SK3-13作为首选?答案在于其带来的综合价值超越单一参数。快速的开关特性(低栅极电荷Qg仅67nC)降低了开关损耗,提升了系统频率和动态响应。宽泛的驱动电压范围(4.5V-10V)使其与多种控制器轻松兼容,简化了驱动电路设计。更重要的是,通过与可靠的DIODES代理商合作,您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持,还能获取专业的技术服务,确保这颗高性能芯片的价值在您的产品中得到完美释放。在追求品质与效率不容妥协的今天,让DMPH4013SK3-13成为您下一个成功项目的坚实基石。
- 型号:DMPH4013SK3-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-252(DPAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T\\u0026R
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):67 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4004 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- DMPH4013SK3-13的官网价格:1:$1.77000|2500:$0.48502,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















