DMPH4015SPSQ-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为功率损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够承载50A大电流，同时将导通电阻控制在极低水平的P沟道MOSFET，能为您的设计带来怎样的变革？答案就在DMPH4015SPSQ-13。这款来自Diodes Incorporated的明星产品，以其40V的耐压和高达50A的连续漏极电流能力，重新定义了高效功率开关的标准。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

无论是需要精密控制的工业电机驱动，还是对空间和效率都极为苛刻的汽车电子系统，亦或是高密度部署的服务器电源和不断追求轻薄化的消费类快充设备，DMPH4015SPSQ-13都能游刃有余。其PowerDI5060-8封装专为高功率密度设计，表面贴装形式让您的PCB布局更加灵活紧凑。在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，确保了从严寒到酷热各种极端环境下的可靠性，让您的产品无惧挑战，始终如一。

选择DMPH4015SPSQ-13，就是选择了一份卓越的性能承诺。其最大仅10毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在开关过程中产生的热量损耗被大幅削减，直接提升了整机效率并简化了散热设计。高达±25V的栅源电压耐受范围和优化的栅极电荷（Qg），让驱动电路设计更简单，开关速度更快，系统响应更迅捷。这一切优势的结合，最终为您带来的不仅是产品性能的显著提升，更是整体系统成本的有效控制和上市时间的加速。要获取这颗性能强劲的芯片以及专业的技术支持，通过正规的DIODES授权代理渠道是您最可靠的选择，确保产品原装正品和供应链的稳定无忧。

• 型号:DMPH4015SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 9.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4234 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMPH4015SPSQ-13的官网价格：1:$1.65000|2500:$0.44430，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。