DMS3014SFGQ-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时兼顾高效率、高可靠性和紧凑尺寸的功率MOSFET，将如何彻底改变您的设计。答案就在DMS3014SFGQ-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，正成为工程师在苛刻应用中的秘密武器。

当您面对需要高电流开关的汽车电子模块，或是空间极其有限的便携式设备时，DMS3014SFGQ-13的价值便凸显无遗。其低至14.5毫欧的导通电阻，意味着在10.4A的大电流下，导通损耗被降至极低，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是用于DC-DC转换器中的同步整流，还是电机驱动中的H桥控制，它都能确保能量更顺畅地流动，减少浪费。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，更让它能从容应对发动机舱内的高温振动环境，为您的ADAS、车身控制或信息娱乐系统注入一颗强健的“心脏”。

选择DMS3014SFGQ-13，就是选择了一种面向未来的设计思路。它不仅仅是一个开关器件，更是系统整体性能提升的关键支点。极低的栅极电荷（19.3nC）与输入电容，让驱动电路设计变得轻松，开关速度更快，进一步削减了开关损耗。PowerDI3333-8的超小型封装，在提供高达1W散热能力的同时，为您节省了宝贵的PCB空间，让产品设计更轻薄、更紧凑。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应能力。当您需要可靠、高效且节省空间的功率开关解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，获取这颗明星器件，无疑是加速项目成功、打造产品市场竞争力的明智之举。

• 型号:DMS3014SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 10.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4310 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMS3014SFGQ-13的官网价格：1:$1.15000|3000:$0.28554，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。