DMT10H009LSS-13
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T\\u0026R
- （专注销售DIODES电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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DMT10H009LSS-13参数详情：
当您的下一个电源设计项目需要在高效率与紧凑空间之间找到完美平衡点时，您是否曾为寻找那颗性能卓越、稳定可靠的功率开关器件而反复权衡？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案DMT10H009LSS-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压能力和高达48A（Tc）的连续漏极电流，重新定义了中高功率密度应用的性能标杆。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。
想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，DMT10H009LSS-13能够轻松驾驭严苛的电气环境。其低至9毫欧的导通电阻（@10A, 10V），意味着在导通状态下惊人的低损耗，直接将更多的电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。这直接转化为更低的系统温升、更高的整体效率，以及更长的设备使用寿命。无论是面对持续的高负载，还是频繁的开关动作，它都能保持稳定如一的表现，让您的设计底气十足。
选择这颗芯片的理由清晰而有力。首先，其优化的栅极电荷（Qg最大值仅40.2nC @10V）和输入电容特性，显著降低了驱动电路的负担，让开关过程更快、更干净，从而轻松实现更高频率的开关电源设计，有效缩小磁性元件的体积和成本。其次，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）确保了它在从寒冷工业环境到炎热机箱内部的各类场景中都能可靠工作。最后，其采用行业标准的8-SO表面贴装封装，兼顾了优异的散热性能与PCB空间利用率，让您的布局设计更加游刃有余。要获得如此卓越性能的原装正品，选择可靠的DIODES代理至关重要，它能确保您供应链的稳定与产品品质的纯粹。
总而言之，DMT10H009LSS-13是工程师面对现代功率管理挑战时的一把利剑。它将高电流处理能力、极低的导通损耗和出色的开关特性融为一体，为您带来的不仅是参数的提升，更是系统级性能的全面优化和设计自由度的极大扩展。立即将它纳入您的选型清单，亲身体验它如何为您的下一个杰作注入强劲而高效的动力核心。
- 型号:DMT10H009LSS-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T\\u0026R
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- DMT10H009LSS-13的官网价格：1:$1.79000|2500:$0.49138，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
