DMT10H010LK3-13

在追求极致效率的电力转换领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMT10H010LK3-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其100V的耐压和高达68.8A的连续漏极电流能力，重新定义了中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、实现紧凑设计的强大引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，每一次开关都伴随着能量的损耗与热量的堆积。DMT10H010LK3-13凭借其超低的8.8毫欧导通电阻（在10V Vgs，13A条件下），能显著降低导通损耗，让更多电能高效地输送到负载端，而非转化为无用的热量。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更稳定，同时有效延长关键元器件的使用寿命。其优化的栅极电荷（Qg）仅为53.7nC，确保了快速、干净的开关切换，进一步减少了开关损耗，特别适合高频开关应用，让整体效率轻松攀升。

无论是面对严苛的工业环境，还是追求极致空间利用率的消费类快充产品，这颗芯片都能从容应对。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了产品无与伦比的可靠性与环境适应性。TO-252（D-Pak）的表面贴装封装，不仅提供了优异的散热性能，还简化了PCB布局和自动化生产流程，助力您加速产品上市。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，选择专业的DIODES代理合作伙伴至关重要，它能确保您获得正品元件和全面的应用支持。

选择DMT10H010LK3-13，就是选择了一种更智能的功率管理方案。它用卓越的电气参数和坚固的物理特性，将高性能与高可靠性融为一体。它让您不再需要在功率、效率和尺寸之间艰难取舍，而是为您打开一扇门，通往更高效、更紧凑、更可靠的下一代电力电子设计。立即将它纳入您的选型清单，亲身体验它如何为您的产品注入强劲而高效的“芯”动力。

• 型号:DMT10H010LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2592 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMT10H010LK3-13的官网价格：1:$2.22000|2500:$0.63242，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。