DMT12H007LPS-13

在追求极致能效与可靠性的汽车电子领域，您是否还在为如何平衡高性能与紧凑设计而困扰？想象一下，一个能够轻松承载90A电流、在严苛环境下稳定工作的功率开关解决方案，将如何为您的下一代车载电源、电机驱动或LED照明系统注入强劲动力？今天，我们带来的DMT12H007LPS-13，正是这样一款专为应对挑战而生的N沟道MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎。

这颗芯片的核心魅力，在于其卓越的性能参数与汽车级的可靠性承诺。高达120V的漏源电压和90A的连续漏极电流能力，意味着它能为大功率负载提供坚实的开关基础。更令人印象深刻的是其极低的导通电阻在10V驱动下仅7.8毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更高效。无论是面对引擎舱内的高温，还是寒冷冬季的低温，其宽广的-55°C至150°C工作温度范围（TJ）都能确保性能如一。选择它，就是为您的设计选择了一份从容应对汽车AEC-Q101标准严酷考验的保障，让稳定与耐用成为产品的天生基因。

它的舞台遍布现代汽车的各个角落。在DC-DC转换器中，DMT12H007LPS-13能够高效地管理能量流动，提升整车的电能利用效率。在电动助力转向（EPS）、燃油泵或散热风扇的电机驱动电路中，其强大的电流处理能力和快速的开关特性，确保了电机响应迅捷、运行平稳。同样，在日益复杂的LED前照灯或氛围灯驱动系统中，它也能提供精准可靠的功率控制。其紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装，尤为适合空间受限的现代汽车电子模块，帮助工程师在有限的PCB面积内实现更高的功率密度。当您需要可靠且高性能的半导体解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，能确保您获得正品货源与全面的技术支持。

那么，为何众多领先的汽车电子制造商将信赖票投给DMT12H007LPS-13？答案在于它实现了性能、可靠性与成本的完美平衡。相较于普通工业级MOSFET，它拥有汽车级认证的“硬核”品质，从材料到制程都经过千锤百炼，故障率极低，极大降低了系统全生命周期的风险。其优化的栅极电荷（Qg仅49nC）和输入电容，意味着它更容易被驱动，可以减少外围驱动电路的设计复杂度，从而节省BOM成本和PCB空间。在追求更长续航、更智能驾乘的今天，选择这样一颗高效、可靠的功率开关，不仅仅是选择了一个组件，更是选择了一种让您的产品在市场中脱颖而出的战略优势。让它成为您下一个汽车电子项目的“心脏”，共同驱动更加安全、高效与智能的出行未来。

• 型号:DMT12H007LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:120 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3224 pF @ 60 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT12H007LPS-13的官网价格：1:$2.92000|2500:$0.87381，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。