DMT12H090LFDF4-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为平衡性能与空间而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出DMT12H090LFDF4-7，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为破解这一难题而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式充电宝或高密度DC-DC转换器中，一颗芯片需要同时承担高效率开关和节省宝贵PCB空间的双重使命。DMT12H090LFDF4-7凭借其115V的漏源电压和3.4A的连续漏极电流能力，为中小功率应用提供了坚实的性能基石。更令人振奋的是，它在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的90毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的设备续航时间和更低的系统温升，让您的产品在能效表现上脱颖而出。

这颗芯片的价值远不止于参数表。它采用先进的X2-DFN2020-6超紧凑封装，面积微小，却蕴含着巨大的能量密度，完美适配对空间极其敏感的现代电子产品设计。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了从严寒到酷热的各种严苛环境下，都能稳定可靠地工作，大大提升了终端产品的环境适应性和耐用性。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，DMT12H090LFDF4-7都能无缝融入，成为您电路设计中高效、静默的“能量阀门”。

选择DMT12H090LFDF4-7，就是选择了一种经过市场验证的可靠性与前沿技术的结合。它继承了Diodes Incorporated一贯的高品质标准，并针对现代能效要求进行了深度优化。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，我们的官方DIODES代理网络随时待命，为您从选型到量产的全流程保驾护航。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为您的产品注入高效、可靠灵魂的战略决策。立即采用DMT12H090LFDF4-7，开启能效与空间兼得的新篇章，让您的设计在市场中率先冲线！

• 型号:DMT12H090LFDF4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN2020-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:115 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:251 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN2020-6
• 封装/外壳:6-PowerXDFN
• DMT12H090LFDF4-7的官网价格：1:$1.46000|3000:$0.37900，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。