DMT3004LFG-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时兼顾低导通电阻、快速开关性能和出色热管理的MOSFET，将如何彻底改变您的设计。现在，这一切不再是想象，DMT3004LFG-13正是为此而生，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其30V的漏源电压和高达25A（Tc）的连续漏极电流能力，为各种中低压、大电流应用场景提供了坚实的硬件基础。无论是汽车电子中的电机驱动、LED照明控制，还是工业电源中的DC-DC转换和负载开关，它都能游刃有余。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅4.5毫欧的最大值，这意味着更少的能量以热的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的运行时间。对于工程师而言，选择它就意味着选择了更简洁的散热设计、更小的PCB空间占用以及更可靠的产品表现。

为什么越来越多的设计将DMT3004LFG-13作为首选？答案在于其卓越的综合性能与可靠性。它采用了先进的PowerDI3333-8封装，在紧凑的尺寸内实现了优异的散热性能，功率耗散能力高达42W（Tc），确保在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内稳定运行。更低的栅极电荷（44nC @ 10V）意味着更快的开关速度，能显著降低开关损耗，特别适合高频开关应用。此外，它符合汽车级AEC-Q101标准，这不仅是质量的背书，更是其能够应对振动、高温等恶劣环境的证明。当您需要可靠、高效且具有成本效益的功率开关解决方案时，它就是那个值得信赖的伙伴。如需获取样品或技术支持，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您服务，助力您的创意快速落地。

• 型号:DMT3004LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.4A（Ta），25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT3004LFG-13的官网价格：3000:$0.35574，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。