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DMT3004LFG-7

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:POWERDI3333-8
  • 技术参数:MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

DMT3004LFG-7参数详情:

在追求极致能效的电力电子设计中,您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼?想象一下,一款能够在30V电压下稳定输出高达25A电流的功率器件,同时将导通电阻降至惊人的4.5毫欧,这不仅仅是参数的提升,更是系统效率的飞跃。今天,我们向您隆重介绍DMT3004LFG-7,这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET,正是为破解您的效率困局而生。

它的卓越之处,首先体现在其超凡的低导通电阻上。在10V驱动电压下,仅4.5毫欧的Rds(on)意味着在导通状态下,电流通过的阻力被降至极低,从而显著减少了导通损耗和热量产生。这不仅让您的电源转换或电机驱动方案运行得更“冷静”,更直接转化为更长的设备寿命和更高的可靠性。同时,高达44nC的低栅极电荷,确保了极快的开关速度,进一步降低了开关损耗,让高频高效运作成为现实。无论是面对严苛的汽车电子环境,还是需要紧凑布局的消费类产品,其PowerDI3333-8封装都提供了优异的散热性能和空间利用率。

将视野投向广阔的应用天地,DMT3004LFG-7的身影几乎无处不在。在新能源汽车的DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)中,它凭借AEC-Q101车规级认证,以稳定的性能守护着每一次能量转换的安全与高效。在服务器电源、通信基站电源等工业领域,其高达10.4A的连续漏极电流和强大的功率处理能力,是保障系统持续稳定运行的坚实后盾。即便是在您手中的智能家电、电动工具里,它也能让电机控制更精准、响应更迅速,全面提升终端产品的用户体验。

选择DMT3004LFG-7,就是选择了一份面向未来的竞争力。它不仅仅是一个元器件,更是一个提升您产品整体性能的价值杠杆。极低的损耗直接降低了系统的热设计难度和散热成本,让您的产品设计更简洁、更可靠。其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)赋予了产品应对各种极端环境的韧性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货保障时,我们的DIODES中国代理团队将全程为您服务,从选型指导到供应链支持,助力您的创意从蓝图走向市场。立即采用DMT3004LFG-7,让它成为您下一款明星产品中,那颗强劲而高效的核心动力。

  • 型号:DMT3004LFG-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:POWERDI3333-8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.4A(Ta),25A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):44 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):+20V,-16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2370 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),42W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:POWERDI3333-8
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • DMT3004LFG-7的官网价格:2000:$0.33929,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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