DMT35M7LFV-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够在高电流下保持超低导通电阻，同时开关速度迅捷的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，这一切不再是想象，DMT35M7LFV-7正是为此而生的性能标杆。

这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其30V的漏源电压和高达76A的连续漏极电流承载能力，为您的高功率密度应用提供了坚实的基石。其核心魅力在于惊人的5毫欧超低导通电阻（在10V Vgs，20A条件下），这意味着在相同的电流下，它能将导通损耗降至极低，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。更低的损耗直接带来了更高的系统效率、更小的散热器需求以及更紧凑的产品设计，让您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出。

无论是服务器和数据中心里要求严苛的负载点（POL）转换器，还是电动工具、无人机中需要爆发力与持久力兼备的电机驱动，亦或是汽车辅助系统、LED强光照明驱动，DMT35M7LFV-7都能游刃有余。它卓越的开关特性低至36nC的栅极电荷和优化的输入电容，确保了快速的开启与关断，显著降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。这意味着您的系统可以工作在更高的频率，从而使用更小体积的磁性元件，进一步优化整体方案的尺寸与成本。

选择DMT35M7LFV-7，就是选择了一种可靠且高效的解决方案。其采用先进的PowerDI3333-8封装，在提供强大功率处理能力的同时，实现了优异的散热性能和紧凑的占板面积，完美适配现代电子设备对小型化的追求。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它应对各种恶劣环境挑战的坚韧品质。当您寻求稳定可靠的供应链与技术支持时，选择专业的DIODES芯片代理至关重要，它能确保您获得正品元件和全面的设计支持。让DMT35M7LFV-7成为您下一代高性能设计的核心动力，释放无限潜能，打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMT35M7LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):76A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1667 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.98W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT35M7LFV-7的官网价格：1:$1.20000|2000:$0.31665，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。