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DMT35M8LDGQ-13供应商
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DMT35M8LDGQ-13
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:PowerDI3333-8（G 型）
- 技术参数：MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
- （专注销售DIODES电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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DMT35M8LDGQ-13参数详情：
- 型号:DMT35M8LDGQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI3333-8（G 型）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N 沟道（双）非对称型
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta），15.3A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V，5.8 毫欧 @ 18A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.9V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.7nC @ 10V，16.3nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1510pF @ 15V，1032pF @ 15V
- 功率 - 最大值:980mW（Ta），2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerDI3333-8（G 型）
- DMT35M8LDGQ-13的官网价格：3000:$0.53900，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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