DMT68M8LFV-13

想象一下，当您的电源管理系统需要在严苛环境下稳定输出大功率时，一颗MOSFET的性能将如何决定整个产品的成败？这正是DMT68M8LFV-13诞生的意义它不仅仅是一个电子元件，更是您高可靠性设计的基石。凭借60V的漏源电压和高达54.1A的连续漏极电流承载能力，这颗N沟道MOSFET在同类产品中脱颖而出，为您的高功率应用提供了坚实的保障。其极低的导通电阻（仅9.5毫欧@10V）意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。

无论是工业自动化中的电机驱动、服务器电源的同步整流，还是新能源车车载充电器(OBC)和LED照明驱动，DMT68M8LFV-13都能游刃有余。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧严寒酷暑，在恶劣环境中依然保持稳定性能。PowerDI3333-8的紧凑封装设计，在提供强大散热能力（Tc下功率耗散高达41.7W）的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的布局设计更加灵活高效。选择它，就是为您的产品选择了一份从容应对各种挑战的底气。

为什么众多工程师在关键设计中信赖DMT68M8LFV-13？答案在于其卓越的性能与可靠性的完美平衡。它优化了栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度，从而提升整体系统的响应频率和动态性能。这意味着您的电源转换器可以实现更高的工作频率，进而使用更小的外围磁性元件，降低系统成本和体积。从原型设计到批量生产，这颗芯片的一致性表现都令人印象深刻。为确保您获得正品保障与及时的技术支持，我们强烈建议您通过正规的DIODES授权代理进行采购。选择DMT68M8LFV-13，不仅是选择了一个组件，更是选择了一个能提升您产品核心竞争力、让市场脱颖而出的强大伙伴。

• 型号:DMT68M8LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2078 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），41.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT68M8LFV-13的官网价格：3000:$0.30569，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。