




DMTH3002LPS-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:PowerDI5060-8
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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DMTH3002LPS-13参数详情:
想象一下,当您的汽车电子系统需要在极端温度下稳定运行,或是您的工业设备要求电源管理模块具备极高的可靠性和效率时,您会选择怎样的核心功率器件?答案或许就藏在DMTH3002LPS-13这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个半导体开关,更是您构建高效、坚固、面向未来的功率系统的基石。凭借其高达100A的连续漏极电流和仅为1.6毫欧的超低导通电阻,它能将功率损耗降至最低,让宝贵的电能更多地转化为实际驱动力和系统性能,而不是无谓的热量。这意味着更长的续航、更小的散热设计压力,以及整体系统能效的显著跃升。
这颗芯片的舞台远不止于此。它天生为严苛环境而生,通过了AEC-Q101车规认证,使其成为汽车应用领域的理想选择,无论是引擎控制单元、电动助力转向,还是先进的48V轻混系统或电池管理系统(BMS),它都能游刃有余。在工业自动化领域,从电机驱动、电源转换到负载开关,其宽广的-55°C至175°C结温工作范围,确保了在酷暑或严寒的车间里持续稳定输出。其PowerDI5060-8封装不仅提供了优异的散热性能,紧凑的尺寸更为日益追求高功率密度的现代设计节省了宝贵的PCB空间。
那么,在众多功率器件中,为何要特别关注DMTH3002LPS-13?首先,它代表了性能与可靠性的完美平衡。极低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗,这对于高频开关应用至关重要,能显著提升系统响应速度与整体效率。其次,其稳健的设计高达30V的漏源电压和±16V的栅源电压容限为您的系统提供了充足的安全裕度,有效抵御电压尖峰和意外瞬态的冲击。选择它,就是选择了一份经得起时间与工况考验的安心。最后,为了确保您能便捷、可靠地获得这颗优质芯片及其全面的技术支持,我们建议您通过官方授权的DIODES中国代理进行采购,从而保障产品来源正宗、供应稳定,并获得专业的本地化服务支持,让您的创新之路畅通无阻。
- 型号:DMTH3002LPS-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI5060-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.6 毫欧 @ 25A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):77 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5000 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.2W(Ta),136W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerDI5060-8
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- DMTH3002LPS-13的官网价格:1:$1.94000|2500:$0.53997,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















