




DMTH3004LPS-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:PowerDI5060-8
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V PWRDI5060
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMTH3004LPS-13参数详情:
当您的汽车电子系统需要在严苛环境下保持稳定高效时,您是否曾为功率开关器件的选择而反复权衡?今天,我们为您带来一个集高性能、高可靠性与紧凑设计于一身的卓越解决方案DMTH3004LPS-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET,专为满足现代汽车电子与工业应用的严苛需求而生,其卓越的电气特性将直接转化为您产品在效率、尺寸与可靠性上的竞争优势。
想象一下,在发动机控制单元、LED照明驱动或是车载充电模块中,一颗芯片需要同时应对高温、振动与持续的大电流挑战。DMTH3004LPS-13正是为此类场景量身打造。它拥有高达30V的漏源电压和惊人的145A(Tc)连续漏极电流能力,这意味着即使在最密集的功率处理任务中,它也能游刃有余,确保系统动力澎湃而稳定。其超低的3.8毫欧导通电阻(@20A, 10V)更是点睛之笔,能显著降低导通损耗,将更多电能转化为有效输出,而非令人头疼的热量,从而帮助您的设计轻松提升整体能效,延长系统寿命。
选择DMTH3004LPS-13,您选择的不仅仅是一个组件,更是一份面向未来的保障。它隶属于Diodes的汽车级AEC-Q101产品家族,经过了严格的认证与测试,工作温度范围宽达-55°C至175°C,确保从冰天雪地到酷热引擎舱都能稳定运行。其先进的PowerDI5060-8封装技术,在提供高达136W(Tc)散热能力的同时,实现了极小的占板面积,让您的PCB布局更加灵活,有助于打造更紧凑、更轻量化的终端产品。无论是升级现有方案,还是开发新一代平台,它都能让您的设计脱颖而出。
为了让您能更便捷、安心地获取这颗性能尖兵,我们推荐您通过官方授权的渠道进行采购。选择可靠的DIODES授权代理,您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格,还能享受到专业的技术支持、稳定的供货链以及完善的售后服务,确保您的项目从研发到量产全程无忧。立即将DMTH3004LPS-13纳入您的设计清单,开启高效、可靠的电能控制新篇章。
- 型号:DMTH3004LPS-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI5060-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V PWRDI5060
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A(Ta),145A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.8 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):43.7 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):+20V,-16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2370 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),136W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerDI5060-8
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- DMTH3004LPS-13的官网价格:2500:$0.46016,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















