DMTH4004SK3-13

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题所困扰？当系统需要处理高达100A的电流时，每一个毫欧的导通电阻都意味着显著的功率损耗和热量积累。今天，我们为您带来一款能够彻底改变这一局面的高性能解决方案DMTH4004SK3-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其惊人的3.2毫欧超低导通电阻，在90A、10V的条件下，将导通损耗降至前所未有的低水平，让您的电源转换效率轻松跃升新台阶，同时大幅减轻散热系统的负担。

想象一下，在服务器电源、高性能计算主板、工业电机驱动或新能源车的DC-DC转换器中，电流如江河奔涌。传统的MOSFET在此类高压、大电流场景下往往力不从心，效率瓶颈和温升问题凸显。DMTH4004SK3-13正是为此类严苛应用而生。其40V的漏源电压和100A的连续漏极电流能力，为高功率密度设计提供了坚实的基石。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，它都能确保系统稳定、高效、低温地运行，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借卓越的可靠性和能效脱颖而出。

选择DMTH4004SK3-13，您选择的不仅仅是一颗MOSFET，更是一套经过优化的高性能价值组合。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源轻松工作在更高频率，从而可以使用更小、更便宜的磁性元件。TO-252（DPAK）的表面贴装封装，兼顾了出色的功率处理能力（Tc条件下高达180W）与紧凑的PCB空间占用，非常适合自动化生产。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在极端环境下的稳定表现。当您需要可靠、高效且具成本效益的功率开关解决方案时，通过值得信赖的DIODES代理获取DMTH4004SK3-13，无疑是推动您下一代产品迈向更高性能与可靠性的明智决策。

• 型号:DMTH4004SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta），180W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH4004SK3-13的官网价格：2500:$0.81497，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。