




DMTH4005SCT
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMTH4005SCT参数详情:
想象一下,您的下一个汽车电子或工业电源项目,是否还在为功率器件的效率瓶颈和可靠性担忧?当系统需要在严苛环境下持续输出强劲动力时,一颗核心的开关器件往往决定了整个设计的成败。今天,我们为您带来的DMTH4005SCT,正是为终结这些挑战而生。它不仅仅是一个参数表上的数字,更是您实现高效、稳定、紧凑设计的强大引擎。
这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET,拥有40V的漏源电压和高达100A的连续漏极电流承载能力,这意味着它天生就是为高电流开关应用准备的强者。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压、50A电流下,最大值仅4.7毫欧。更低的Rds(on)直接转化为更少的导通损耗和发热,让您的系统运行更凉爽,效率显著提升,这对于追求能效和热管理的汽车电驱、DC-DC转换器或电机驱动应用而言,价值无可估量。同时,高达175°C的结温工作范围和符合AEC-Q101标准的汽车级品质,赋予了它无与伦比的坚固性与可靠性,无惧引擎舱的高温或户外设备的极端温差挑战。
无论是新能源汽车的OBC(车载充电机)、BMS(电池管理系统)中的主控开关,还是工业服务器电源、电动工具中的电机控制桥臂,DMTH4005SCT都能游刃有余。其优化的栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)平衡了开关速度与驱动简易性,帮助您轻松实现高速开关的同时,降低驱动电路的设计复杂度。TO-220AB的经典封装形式,兼顾了优异的散热性能和成熟的安装工艺,让您的生产与维护都更加顺畅。选择它,就是为您的产品注入了经得起市场与时间考验的强劲心脏。
在竞争激烈的市场中,选对核心器件就是赢得了先机。选择DMTH4005SCT,您选择的不仅是一颗高性能MOSFET,更是Diodes Incorporated在半导体领域数十年的技术积淀与对品质的严苛追求。为了确保您能获得稳定可靠的正品供应与专业的技术支持,我们强烈建议您通过官方授权的渠道进行采购。作为值得信赖的DIODES授权代理,我们为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务。立即行动,让DMTH4005SCT成为您下一个明星产品的力量之源,共同开启高效、可靠的新篇章!
- 型号:DMTH4005SCT
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-220-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.7 毫欧 @ 50A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):49.1 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3062 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),125W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220-3
- 封装/外壳:TO-220-3
- DMTH4005SCT的官网价格:1:$2.52000,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















