




DMTH4008LFDFW-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:U-DFN2020-6(SWP)(F 型)
- 技术参数:MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMTH4008LFDFW-7参数详情:
在追求极致效率的电力转换设计中,您是否还在为开关损耗和热管理问题而困扰?当系统需要在紧凑空间内处理高达11.6A的连续电流时,选择一颗性能卓越的MOSFET往往是决定成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款专为严苛应用而生的功率开关解决方案DMTH4008LFDFW-7。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的强大引擎。
想象一下,在汽车引擎控制单元(ECU)的狭小空间里,或者在高速运转的服务器电源模块中,热量是性能与可靠性的隐形杀手。DMTH4008LFDFW-7凭借其低至11.5毫欧的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低导通损耗,将更多电能转化为有效输出,而非令人头疼的热量。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更稳定,同时延长了整体使用寿命。其高达175°C的结温(TJ)和符合AEC-Q101标准的汽车级品质,更是为它在振动、高温、多变的汽车电子环境中稳定工作提供了坚实保障,让您的设计无惧极端挑战。
这颗芯片的价值远不止于参数表。在车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电机驱动以及各类负载开关应用中,它都能大显身手。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,使得开关速度更快,开关损耗更低,特别适合高频开关应用,帮助您轻松实现更高的功率密度和系统效率。无论是提升新能源汽车的续航里程,还是确保数据中心电源的7x24小时不间断运行,DMTH4008LFDFW-7都能成为您值得信赖的伙伴。选择它,就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越性能。当您需要稳定可靠的货源和技术支持时,专业的DIODES代理商将是您坚实的后盾。
为何众多工程师在关键设计中转向DMTH4008LFDFW-7?答案在于它实现了性能、尺寸与可靠性的完美平衡。在U-DFN2020-6的超紧凑封装下,集成了强大的功率处理能力,让您在PCB布局时拥有更大的自由度,为产品小型化趋势提供了理想的解决方案。从-55°C到175°C的宽广工作温度范围,确保了从寒带到热带,从启动瞬间到全负荷运行,性能始终如一。这不仅仅是一次元件选型,更是为您的产品注入持久动力与市场信心的战略决策。立即体验它带来的变革,让您的下一个设计脱颖而出。
- 型号:DMTH4008LFDFW-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-DFN2020-6(SWP)(F 型)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.6A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11.5 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):14.2 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1030 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):990mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:U-DFN2020-6(SWP)(F 型)
- 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
- DMTH4008LFDFW-7的官网价格:3000:$0.30323,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















