DMTH43M8LFG-13

想象一下，当您的电源管理系统需要同时处理高电流与高效率时，是否常常面临散热与体积的双重挑战？现在，DMTH43M8LFG-13的到来，正是为了彻底解决这一核心痛点。这款由Diodes Incorporated精心打造的N沟道功率MOSFET，以其仅3毫欧的超低导通电阻和高达100A的连续漏极电流能力，重新定义了紧凑型高功率密度设计的可能性。它不仅是一颗芯片，更是您提升产品竞争力的秘密武器，让能量转换过程几乎无损耗，将每一分电力都精准高效地转化为驱动力量。

无论是高速运行的服务器电源、要求严苛的工业电机驱动，还是日益精密的车载充电系统，DMTH43M8LFG-13都能游刃有余。其40V的漏源电压和宽达-55°C至175°C的工作温度范围，确保了它在各种恶劣环境下依然稳定可靠。当您的设计需要在狭小空间内实现大功率开关时，其PowerDI3333-8封装提供了卓越的散热性能和易于贴装的便利性。这意味着，从消费电子到高端工业设备，这颗芯片都能成为您系统中那颗强劲而安静的心脏，默默支撑着每一次高效的能量吞吐。

选择DMTH43M8LFG-13，就是选择了一份经得起验证的性能承诺。它极低的栅极电荷和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统整体效率轻松跃升。更令人安心的是，通过值得信赖的DIODES中国代理，您可以获得原厂直供的品质保障与及时的技术支持，确保供应链稳定无忧。在追求极致能效与可靠性的道路上，让这颗集高性能、高可靠性于一体的功率MOSFET，成为您下一个成功产品的坚实基石，助您轻松驾驭高功率应用的复杂挑战，赢得市场先机。

• 型号:DMTH43M8LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2798 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.62W（Ta），65.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH43M8LFG-13的官网价格：3000:$0.44383，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。