DMTH6004SK3-13

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一颗既能承载大电流、又具备超低损耗的功率开关而困扰？今天，我们为您带来的DMTH6004SK3-13，正是为破解这一难题而生。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的耐压和高达100A的连续漏极电流能力，重新定义了中高功率应用的性能标杆。想象一下，在您的电机驱动、电源转换或负载开关电路中，它能以仅3.8毫欧的超低导通电阻，将能量损耗降至最低，让每一分电力都转化为有效输出，而非无谓的热量。

无论是新能源汽车的OBC（车载充电器）、DC-DC转换器，还是工业自动化中的伺服驱动器、大功率LED照明电源，DMTH6004SK3-13都能游刃有余。其符合AEC-Q101车规标准的身份，意味着它历经了严苛的可靠性验证，能在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作，从容应对振动、高温高湿等恶劣环境挑战。这意味着，您不仅为产品注入了强劲的“心脏”，更赋予了它应对复杂工况的坚韧“体魄”。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的耐久保障。

那么，在众多同类器件中，为何它值得您特别关注？答案在于其卓越的综合性能与易用性的完美平衡。高达180W（Tc）的功率耗散能力，配合TO-252（D-Pak）这种成熟可靠的表面贴装封装，既保证了出色的散热性能，又便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统整体效率再上一个台阶。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，我们的DIODES一级代理身份能确保您获得原厂正品与及时的技术支持。让DMTH6004SK3-13成为您下一个成功设计的强大基石，开启高效、可靠的电能控制新篇章。

• 型号:DMTH6004SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta），180W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH6004SK3-13的官网价格：1:$2.28000|2500:$0.65266，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。