




DMTH6005LCT
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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DMTH6005LCT参数详情:
当您的电源管理系统需要同时应对高电流负载与严苛环境挑战时,是否曾为寻找一颗既可靠又高效的功率开关而烦恼?现在,答案来了。我们隆重推出DMTH6005LCT,这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET,正是为突破性能瓶颈而生。它不仅仅是一个组件,更是您提升产品竞争力、确保系统稳定运行的强大引擎。
想象一下,在汽车引擎控制单元、高功率DC-DC转换器或工业电机驱动中,电流高达100A,电压波动频繁,环境温度极端。这正是DMTH6005LCT大显身手的舞台。其60V的漏源电压和100A的连续漏极电流能力,让它能轻松驾驭主流高功率应用。更令人振奋的是,它隶属于Automotive, AEC-Q101产品系列,这意味着它通过了汽车级的严苛认证,从-55°C到175°C的结温范围内都能保持稳定性能,无论是北方寒冬还是南方酷暑,或是发动机舱内的高温环境,它都能从容应对,为您的产品注入全天候的可靠性。
选择DMTH6005LCT,就是选择极致的效率与简洁的设计。其关键魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压、20A电流下,最大值仅为6毫欧。这个数字意味着什么?意味着更少的能量以热量的形式被浪费,更高的系统整体效率,以及更小的散热设计压力。同时,优化的栅极电荷(Qg)特性有助于降低开关损耗,让您的电源系统运行得更快、更凉、更节能。经典的TO-220AB封装,兼顾了优异的散热能力与成熟的工艺兼容性,让您的生产导入轻松无虞。
在竞争激烈的市场中,细节决定成败。一颗优秀的功率器件,能简化您的电路设计,提升终端产品的能效与寿命,从而赢得客户信赖。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性与高性价比于一身的解决方案时,DIODES中国代理将是您值得信赖的伙伴,为您提供从技术选型到供应链支持的全方位服务。让DMTH6005LCT成为您下一个成功产品的强大心脏,共同开启高效、可靠的电能控制新篇章。
- 型号:DMTH6005LCT
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-220-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):47.1 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2962 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),125W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220-3
- 封装/外壳:TO-220-3
- DMTH6005LCT的官网价格:50:$0.87780,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















