




DMTH6010SK3Q-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-252-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMTH6010SK3Q-13参数详情:
在追求极致效率的电力电子世界,您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼?想象一下,一款能够在高达175°C结温下稳定工作,同时将导通电阻压至仅8毫欧的功率开关,将如何彻底改变您的电源设计?答案就在DMTH6010SK3Q-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET,不仅仅是一个元件,更是您提升系统可靠性、缩小产品体积、降低整体成本的强大引擎。它专为严苛环境而生,通过了汽车级AEC-Q101认证,意味着它拥有超越工业标准的品质与耐久性,是您应对挑战性应用的信心之选。
当我们将目光投向其广阔的应用舞台,DMTH6010SK3Q-13的身影无处不在。在新能源汽车的DC-DC转换器和电机驱动中,它凭借60V的耐压和高达70A(Tc)的连续电流能力,确保动力系统高效、平稳地输出每一份能量。在工业自动化领域,伺服驱动器和电源模块需要应对频繁的开关和高温环境,其极低的Qg(栅极电荷)和Ciss(输入电容)意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗,让您的设备响应更迅捷,运行更清凉。即便是对空间和效率要求极高的消费类快充适配器或LED驱动,其TO-252-4L的紧凑封装和优异的RdsOn表现,也能帮助您设计出更小巧、更高效的终端产品。
那么,在众多功率器件中,为何独独青睐这颗芯片?核心价值在于它在性能、可靠性与成本之间取得的卓越平衡。高达16.3A(Ta)的连续电流承载能力,配合超低的导通电阻,直接转化为更低的传导损耗和更少的发热,让您的系统效率轻松攀升。宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)提供了巨大的设计余量,确保产品在极端气候或高负载下依然稳定如山。选择DMTH6010SK3Q-13,就是选择了一份经过车规验证的可靠性背书,它能显著减少现场故障率,提升终端品牌声誉。为了让您更便捷地获得这款优质产品,我们推荐您通过官方授权的DIODES代理商进行采购,以确保货源的正品品质和稳定的供应支持。立即采用DMTH6010SK3Q-13,让它成为您下一代高性能设计的核心动力,开启能效与可靠性的新篇章。
- 型号:DMTH6010SK3Q-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-252-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.3A(Ta),70A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):38.1 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2841 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252-3
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- DMTH6010SK3Q-13的官网价格:1:$1.89000|2500:$0.52262,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















