DMTH6012LPSW-13

您是否正在为电源转换效率的瓶颈而烦恼？在当今追求极致能效的设计中，每一分能量的损耗都意味着竞争力的流失。现在，一颗性能卓越的功率开关器件，正是您打破瓶颈、实现设计飞跃的关键。我们隆重向您推荐DMTH6012LPSW-13，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其高达60V的漏源电压和出色的低导通电阻，为您带来前所未有的高效与可靠体验。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高密度DC-DC转换器中，电流的每一次开关都伴随着极低的损耗。这正是DMTH6012LPSW-13的用武之地。它能在10V驱动电压下，实现仅14毫欧的超低导通电阻，这意味着在20A的大电流通过时，产生的热量和能量浪费被降至极低水平。这不仅直接提升了整机效率，更能让您的散热设计更为简化，系统运行更加稳定持久。无论是应对数据中心严苛的7x24小时不间断运行，还是工业环境中瞬间的高负载冲击，它都能游刃有余。

选择DMTH6012LPSW-13，就是选择了一份从容与信心。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温）确保了它在极端环境下依然稳定工作，而极低的栅极电荷（13.6nC @ 10V）则显著降低了开关损耗，让高频开关应用变得轻而易举。这意味着您的产品不仅能满足当下的高效需求，更能为未来的性能升级预留充足空间。当您需要可靠、高性能的功率解决方案时，DIODES中国代理将是您获取这颗强大芯片和专业技术支持的最便捷桥梁。从原型设计到批量生产，让DMTH6012LPSW-13成为您产品核心动力部分最坚实、最高效的那块基石，助您轻松驾驭功率，赢得市场先机。

• 型号:DMTH6012LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.22V @ 15V，75A
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:785 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:78689-0001
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH6012LPSW-13的官网价格：2500:$0.25460，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。