




DMTH6016LFDFW-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:U-DFN2020-6(SWP)(F 型)
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMTH6016LFDFW-7参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的今天,您的电源管理方案是否还在为功率密度与可靠性的平衡而烦恼?想象一下,一颗能够轻松驾驭60V电压、承载近10A电流的MOSFET,却拥有仅为18毫欧的超低导通电阻,它能将多少能量损耗转化为实实在在的性能提升?这正是DMTH6016LFDFW-7为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品竞争力、实现设计突破的强力引擎。
当我们将目光投向广阔的应用天地,这颗芯片的价值便熠熠生辉。在汽车电子领域,无论是日益复杂的车身控制模块、高效的LED照明驱动,还是精密的电池管理系统,严苛的AEC-Q101车规级认证确保了它在-55°C至175°C的极端温度下依然稳定可靠,为您的设计注入“汽车级”的坚固灵魂。而在工业自动化、紧凑型电源适配器或高性能计算设备中,其U-DFN2020-6的超小型封装,让您在寸土寸金的PCB板上实现更高的功率密度,轻松应对空间受限的挑战。它高效的能量转换能力,直接意味着更低的发热、更长的续航以及更安静的系统运行。
选择DMTH6016LFDFW-7,就是选择了一份经过验证的卓越与安心。其4.5V的低驱动电压特性,让它可以与主流微控制器轻松配合,简化您的驱动电路设计。极低的栅极电荷(仅15.3nC)和输入电容,显著降低了开关损耗,使得高频开关应用中的效率表现尤为出色,这对于提升整体系统能效至关重要。我们深知,可靠的供应链是项目成功的基石,因此选择值得信赖的DIODES芯片代理,意味着您不仅能获得这颗性能出众的芯片,更能获得原厂级的技术支持、稳定的供货保障以及全面的产品解决方案,让您的创新之旅全程无忧。
从概念到量产,每一个环节都值得被精心对待。DMTH6016LFDFW-7以其强悍的电气性能、车规级的品质标准与极致的封装工艺,正等待着赋能您的下一个明星产品。它不仅是电路中的一个开关,更是通往更高效率、更小体积、更强可靠性设计大门的关键钥匙。现在,就让它成为您设计蓝图中的核心动力,共同开启高效能电子设备的新篇章。
- 型号:DMTH6016LFDFW-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-DFN2020-6(SWP)(F 型)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):18 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15.3 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):925 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.06W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:U-DFN2020-6(SWP)(F 型)
- 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
- DMTH6016LFDFW-7的官网价格:1:$1.20000|3000:$0.29978,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















