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DMWSH170H850HM4Q供应商
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DMWSH170H850HM4Q
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-247-4
- 技术参数：SIC MOSFET BVDSS: \\u003e1000V TO247-4
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DMWSH170H850HM4Q参数详情：
- 型号:DMWSH170H850HM4Q
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SIC MOSFET BVDSS: \\u003e1000V TO247-4
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.58A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 2A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 500A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.8 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:178 pF @ 1000 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:73.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-4
- 封装/外壳:TO-247-4
- DMWSH170H850HM4Q的官网价格：30:$3.55533，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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