DXT2014P5-13

在追求极致效率与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受高压冲击，又能提供稳定大电流支持的PNP功率晶体管而烦恼？现在，答案就在眼前。DXT2014P5-13的到来，正是为了终结这种选择困境。它不仅仅是一个元件，更是您系统稳定运行的强大心脏，集高耐压、大电流与卓越的开关性能于一身，专为应对严苛应用环境而生。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）或高效照明镇流器的核心电路中，每一次开关都伴随着高压与电流的剧烈变化。DXT2014P5-13凭借其高达140V的集射极击穿电压和4A的持续电流能力，如同一位沉稳的卫士，确保您的系统在电压波动中屹立不倒。其极低的Vce饱和压降（仅360mV）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的设备寿命，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

无论是面对-55°C的严寒还是150°C的酷热，这颗芯片都能稳定工作，其宽泛的工作温度范围赋予了产品无与伦比的环境适应性。配合PowerDI 5封装带来的优异散热性能和紧凑的占板面积，它让您的PCB布局更加灵活，系统集成度更高。当您需要可靠的本地化技术支持与稳定供货时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。选择DXT2014P5-13，就是选择了一份经得起时间考验的性能承诺，它将以卓越的电气特性和坚固的物理特性，成为您下一代高性能设计中不可或缺的基石。

• 型号:DXT2014P5-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 5
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP 140V 4A POWERDI 5
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:140 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:360mV @ 300mA，3A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:20nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 1A，5V
• 功率 - 最大值:3.2 W
• 频率 - 跃迁:120MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:PowerDI 5
• 供应商器件封装:PowerDI 5
• DXT2014P5-13的官网价格：1:$1.10000|5000:$0.25712，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。