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FMMV2109TA

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器),封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 技术参数:DIODE VAR CAPAC 30V 33PF SOT23-3
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

FMMV2109TA参数详情:

在追求极致信号稳定性和频率精度的射频电路中,您是否还在为传统电容的固定容量而妥协设计灵活性?今天,我们为您带来一个颠覆性的解决方案FMMV2109TA,这颗由Diodes Incorporated精心打造的可变电容二极管,将彻底改变您对频率调谐的认知。它不仅仅是一个元件,更是您实现电路性能飞跃的关键钥匙。

想象一下,在紧凑的智能手机天线调谐模块中,或者在需要精准锁频的无线通信模块里,FMMV2109TA凭借其高达3.3的电容比(C2/C30),能够提供从数皮法到三十多皮法的宽范围电容变化。这意味着您只需通过微调反向偏压,就能轻松、连续地改变谐振频率,完美适应多频段、多模式通信的苛刻要求。其高达280的Q值(@4V, 50MHz)确保了极低的信号损耗,让您的设备在传输关键数据时,信号更纯净,连接更可靠。

无论是消费电子领域的蓝牙耳机、智能手表,还是工业应用中的遥控器、射频识别(RFID)读卡器,甚至是需要精密频率源的专业测试设备,FMMV2109TA都能大显身手。它30V的最大峰值反向电压提供了坚固的可靠性,而经典的SOT-23-3封装则让它在高密度的PCB板上游刃有余,帮助您最大化利用每一寸宝贵的空间。选择它,就是选择了一种更智能、更高效的设计哲学。

为什么众多领先的设计师信赖并选择FMMV2109TA?答案在于它无与伦比的综合价值。它用一颗芯片的简洁,替代了复杂的机械式或数字式调谐方案,大幅简化了您的电路设计,降低了整体BOM成本和功耗。其优异的性能参数并非纸上谈兵,而是经过市场长期验证的稳定保障。当您需要获取这颗性能利器或寻求专业的技术支持时,遍布全球的授权DIODES代理网络随时准备为您服务,确保您从研发到量产的每一步都顺畅无阻。拥抱FMMV2109TA,就是拥抱更灵活、更强大、更具竞争力的产品未来。

  • 制造商产品型号:FMMV2109TA
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:DIODE VAR CAPAC 30V 33PF SOT23-3
  • 系列:二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
  • 零件状态:停产
  • 不同Vr、F时电容:36.3pF @ 4V,1MHz
  • 电容比:3.3
  • 电容比条件:C2/C30
  • 电压-峰值反向(最大值):30V
  • 二极管类型:单路
  • 不同Vr、F时Q值:280 @ 4V,50MHz
  • 工作温度:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • FMMV2109TA的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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