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GBJ2008-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 桥式整流器,封装:GBJ
- 技术参数:BRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
GBJ2008-F参数详情:
在追求极致能效的今天,您的电源设计是否还在为整流环节的损耗和可靠性而妥协?想象一下,一颗能够同时兼顾高效率、高耐压与出色热性能的桥式整流器,将如何彻底改变您的产品表现。现在,答案就在GBJ2008-F。这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,以其800V的峰值反向电压和20A的平均整流电流,为工业电源、电机驱动、UPS系统等高要求应用树立了新的性能标杆。它不仅是一个元件,更是您提升整机效率、确保长期稳定运行的强大基石。
无论是面对严苛的工业环境,还是需要紧凑布局的消费类电源,GBJ2008-F都能游刃有余。在电焊机、变频器的主电路中,它承受着频繁的电流冲击;在服务器电源和通信设备里,它确保着纯净稳定的直流输出。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围,意味着从寒冷的户外设备到内部高温积聚的密闭空间,它都能持续稳定工作,极大拓展了您的产品适用场景。选择它,就是为您的产品注入了适应多变市场与复杂环境的强大基因。
为何众多领先制造商都将GBJ2008-F作为首选?理由清晰而有力。首先,其1.05V @ 10A的低正向压降直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率,帮助您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出。其次,极低的反向泄漏电流(仅10A @ 800V)意味着更少的待机功耗和更高的安全性。最后,其坚固的GBJ通孔封装提供了卓越的散热能力和机械强度,确保在长期满载运行下的可靠性。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴,专业的DIODES代理将为您提供从技术选型到批量供货的全方位支持。选择GBJ2008-F,不仅是选择了一个高性能部件,更是选择了一份让设计更省心、让产品更具竞争力的保障。
- 型号:GBJ2008-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:GBJ
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 桥式整流器
- 描述:BRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 二极管类型:单相
- 技术:标准
- 电压 - 峰值反向(最大值):800 V
- 电流 - 平均整流 (Io):20 A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 10 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 A @ 800 V
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:4-SIP,GBJ
- 供应商器件封装:GBJ
- GBJ2008-F的官网价格:1:$3.35000,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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