MBR20200CT-G1

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为整流器件的开关损耗和温升问题而困扰？当传统解决方案在效率与可靠性之间难以平衡时，MBR20200CT-G1的出现，正是为破解这一难题而生。这款来自Diodes Incorporated的200V肖特基二极管阵列，以其卓越的快速恢复特性和低正向压降，为您的高频开关应用注入澎湃而稳定的能量核心。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源逆变器中，每一次电流的切换都伴随着能量的损耗与热量的积累。MBR20200CT-G1凭借其肖特基技术内核，将每二极管10A的平均整流电流与低至900mV@10A的正向压降完美结合，这意味着在承载大电流时，它产生的导通损耗显著低于普通整流管。其快速恢复特性（≤500ns）能大幅降低开关过程中的反向恢复损耗，让系统整体效率轻松跃升一个台阶，同时将热管理的压力降到最低。无论是面对严苛的工业环境（工作结温-65°C至150°C），还是需要紧凑布局的消费类电源，它都能游刃有余。

选择MBR20200CT-G1，就是选择了一份对高性能与高可靠性的双重承诺。其1对共阴极的TO-220封装设计，不仅便于安装和散热，更简化了电路布局。高达200V的反向耐压与极低的反向漏电流（仅50A @ 200V），确保了系统在高压下的稳定与安全，有效延长了终端产品的使用寿命。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，专业的DIODES芯片代理将是您值得信赖的伙伴，助您快速将这款高效能芯片集成到您的创新设计中，抢占市场先机。

• 型号:MBR20200CT-G1
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARR SCHOT 200V 10A TO2203
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 200 V
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220-3
• MBR20200CT-G1的官网价格：1:$1.35000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。