




MIMD10A-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置,封装:SOT-363
- 技术参数:TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MIMD10A-7-F参数详情:
在追求极致空间利用与高效电路设计的今天,您是否还在为分立元件的布局和匹配而烦恼?想象一下,一颗微小的芯片,集成了预偏置的双极晶体管对,能直接将您的电路板面积缩小30%以上,同时将设计周期缩短近一半。这正是MIMD10A-7-F为您带来的核心价值它不仅仅是一个晶体管阵列,更是通往紧凑、可靠、高性能设计的钥匙。
这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,天生就是为了应对现代电子设备的严苛挑战。其内部精妙地集成了一对预偏置的NPN和PNP晶体管,并配备了优化的基极和发射极电阻。这意味着,当您将它应用于信号调理、电平转换或驱动小型负载时,无需再为外部偏置电路耗费宝贵的PCB空间和设计精力。高达50V的集射极击穿电压和出色的电流处理能力(NPN达100mA,PNP达500mA),让它能在从消费电子到工业控制的广泛电压环境中稳定工作,确保您的产品在各种工况下都坚如磐石。
无论是智能家居中传感器信号的放大与整形,便携设备中高效的电源管理切换,还是通信模块里关键的数字接口驱动,MIMD10A-7-F都能完美融入。其高达250MHz的跃迁频率,确保了信号的高速与保真;而低至300mV的饱和压降,则显著提升了能效,减少了不必要的热量产生。选择它,就是选择了一种更聪明、更简洁的设计哲学。您无需成为晶体管偏置电路的专家,也能轻松获得稳定、一致的性能输出,从而将更多创造力聚焦于产品的核心功能创新上。
为何众多领先企业都将MIMD10A-7-F作为首选?答案在于它提供的综合价值远超单一元件。它简化了物料清单(BOM),降低了采购与库存管理的复杂度;其SOT-363超小型封装,是应对空间极限挑战的终极答案;更重要的是,它源自Diodes的可靠品质和量产一致性,为您的量产产品提供了坚实的质量保障。如果您正在寻找一个值得信赖的供应链伙伴,专业的DIODES代理商不仅能为您提供这颗卓越的芯片,更能带来全面的技术支持与稳定的供货保障,让您的创新之旅全程无忧。立即采用MIMD10A-7-F,开启您下一个项目的高效、可靠与精简之门。
- 型号:MIMD10A-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-363
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
- 描述:TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,500mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
- 电阻器 - 基极 (R1):100 欧姆,10 千欧
- 电阻器 - 发射极 (R2):10 千欧
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 1mA,10mA / 300mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
- 频率 - 跃迁:250MHz,200MHz
- 功率 - 最大值:200mW
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:SOT-363
- MIMD10A-7-F的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















