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    MMBTH10Q-7-F
  • 制造厂商：DIODES
  • 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 射频，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 技术参数：RF TRANSISTOR SOT23
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：MMBTH10Q-7-F
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：RF TRANSISTOR SOT23
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压-集射极击穿（最大值）：25V
  • 频率-跃迁：650MHz
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 增益：-
  • 功率-最大值：310mW
  • 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：60 @ 4mA，10V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：50mA
  • 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • MMBTH10Q-7-F的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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