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MMBZ5243B-7-F供应商
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MMBZ5243B-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOT-23-3
- 技术参数:DIODE ZENER 13V 350MW SOT23-3
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MMBZ5243B-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当关键电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,MMBZ5243B-7-F齐纳二极管就是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的精密元件,以其13V的精准稳压能力和±5%的严格容差,为您的产品注入坚如磐石的可靠性。它不仅仅是一个简单的二极管,更是保障系统平稳运行的无声卫士,让您在复杂的电磁环境中也能高枕无忧。
想象一下,在便携式消费电子、通信模块或工业控制板的电源管理部分,瞬态电压尖峰可能悄然而至。DIODES中国代理为您带来的这款MMBZ5243B-7-F,正是应对此类挑战的利器。它能高效地将电压箝位在安全范围,保护后级敏感的IC免受损坏。其仅13欧姆的最大动态阻抗,意味着在负载变化时能提供更稳定的电压输出,确保您的MCU、传感器或存储器始终工作在最佳电压点。无论是用于电压基准、稳压还是瞬态抑制,它都能无缝融入您的设计,提升整机性能。
选择MMBZ5243B-7-F,就是选择了一份经得起考验的卓越性能。其350mW的功率处理能力,在紧凑的SOT-23-3封装内实现了出色的能效平衡。从-65°C到150°C的宽广工作温度范围,让它能够从容应对严苛的工业环境或户外应用的温差挑战。极低的反向泄漏电流(500nA @ 9.9V)和正向压降(900mV @ 10mA),进一步优化了系统的能耗表现。这颗表面贴装型的小巧芯片,集高精度、高可靠性与高适应性于一身,是工程师在空间受限且要求严苛的设计中的明智之选,它能显著降低系统故障率,延长产品寿命,最终为您赢得市场的信赖与口碑。
- 型号:MMBZ5243B-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 13V 350MW SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:350 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):13 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 9.9 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- MMBZ5243B-7-F的官网价格:1:$0.20000|3000:$0.03903,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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