




MMBZ5255B-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOT-23-3
- 技术参数:DIODE ZENER 28V 350MW SOT23-3
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MMBZ5255B-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当精密电路遭遇意外浪涌,如何确保关键元件安然无恙?今天,我们为您带来一款能够彻底解决此类顾虑的卓越解决方案MMBZ5255B-7-F。这款来自Diodes Incorporated的28V齐纳二极管,不仅仅是一个简单的保护元件,更是您系统可靠性的坚实守护者。其±5%的精密容差与高达350mW的功率处理能力,意味着它能在更严苛的条件下提供更精准、更持久的电压箝位,将不稳定因素牢牢锁在门外,让您的设计从“能用”跃升为“值得信赖”。
想象一下,在便携式消费电子产品的充电管理电路中,MMBZ5255B-7-F正默默发挥着关键作用。它精准地将电压稳定在安全阈值,保护后级敏感的微处理器或传感器免受电压尖峰的冲击。在工业自动化设备的通讯接口或电源输入级,其宽达-65°C至150°C的工作温度范围,让它无惧严寒酷暑的环境挑战,确保生产线7x24小时不间断稳定运行。无论是需要高密度布局的物联网模块,还是对空间极其苛刻的可穿戴设备,其微小的SOT-23-3表面贴装封装都能轻松融入,提供强大的保护而不占用宝贵的设计空间。它的价值,就在于让复杂的设计变简单,让潜在的风险变可控。
选择MMBZ5255B-7-F,就是选择了一份安心的保障。相较于普通稳压器件,它44欧姆的最大动态阻抗确保了出色的电压调节特性,即使在负载变化时也能维持电压稳定。其低至100nA@21V的反向泄漏电流,极大地减少了待机功耗,这对于电池供电设备延长续航时间至关重要。从原型设计到量产,这颗芯片的卓越一致性和可靠性将贯穿产品全生命周期,有效降低后期维护成本和市场返修率。当您寻求高品质、高可靠性的元器件时,通过值得信赖的DIODES中国代理进行采购,不仅能确保获得原装正品和完整的技术支持,还能享受到高效的供应链服务,让您的产品上市之路更加顺畅。立即将MMBZ5255B-7-F纳入您的物料清单,为您下一个成功产品注入坚如磐石的稳定性基因。
- 型号:MMBZ5255B-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 28V 350MW SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):28 V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:350 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):44 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- MMBZ5255B-7-F的官网价格:1:$0.20000|3000:$0.03903,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















