
当前位置:DIODES代理商 >> DIODES公司产品型号 - MMBZ5256B-7-F
MMBZ5256B-7-F供应商
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MMBZ5256B-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOT-23-3
- 技术参数:DIODE ZENER 30V 350MW SOT23-3
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MMBZ5256B-7-F参数详情:
在当今追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统不稳定而烦恼?当精密电路遭遇意外浪涌,如何确保关键元件安然无恙?答案就藏在这颗看似微小却至关重要的元器件中MMBZ5256B-7-F齐纳二极管。它不仅仅是一个简单的电压钳位元件,更是您电路系统的“电压守护神”,以高达350mW的功率处理能力和±5%的精准容差,为您的设计注入坚如磐石的可靠性。
想象一下,在便携式消费电子、工业控制模块或汽车辅助系统中,MMBZ5256B-7-F正默默发挥着关键作用。它能将电压精准稳定在30V,有效吸收瞬态电压尖峰,保护后级敏感的IC免受损害。其卓越的49欧姆最大动态阻抗意味着即使在负载变化时,也能提供异常稳定的电压参考。从-65°C到150°C的宽温工作范围,让它无惧严寒酷暑,在各类严苛环境下稳定运行,这正是Diodes Incorporated深厚技术底蕴的体现。选择它,就是为您的产品选择了一份跨越极限环境的性能保险。
为何众多工程师在需要30V稳压方案时,会优先考虑MMBZ5256B-7-F?因为它完美平衡了性能、尺寸与成本。采用标准的SOT-23-3封装,它几乎不占用宝贵的PCB空间,非常适合高密度集成设计。其极低的反向泄漏电流(仅100nA @ 23V)和正向压降(900mV @ 10mA)特性,有助于降低系统整体功耗,提升能效。当您寻求可靠、高效的齐纳二极管解决方案时,与专业的DIODES芯片代理合作,不仅能确保获得原装正品,还能获得全面的技术支持和供应链保障,让您的产品从设计到量产一路畅通。
- 型号:MMBZ5256B-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 30V 350MW SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:350 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):49 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 23 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- MMBZ5256B-7-F的官网价格:1:$0.20000|3000:$0.03903,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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